据韩媒etnews于6月18日报道，三星电子近期在高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域取得重要突破。其基于4nm工艺制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能评估，传输带宽达到24Gbps。这一成果标志着三星在芯粒互联技术上的显著进展。UCIe（统一芯粒互联接口）是一种通用的芯粒互联标准，能够实现不同来源和工艺的芯粒之间的互联通信，从而将分散的芯粒生态系统整合为统一平台。三星早在去年就对其工艺进行了优化，以支持UCIe IP的开发。此次原型芯片的成功运行，表明其技术已具备向商业量产迈进的能力。
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三星 4nm UCIe 传输带宽 24Gbps
据台媒报道，台积电位于美国亚利桑那州的晶圆厂已经完成了为苹果、英伟达（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，数量达到了2万片晶圆，目前这些芯片已经送往中国台湾进行封装。这批在台积电亚利桑那州晶圆厂生产的4nm制程晶圆，其中包括了英伟达Blackwell AI GPU、苹果公司面向iPhone的A系列处理器和AMD第五代EPYC数据中心处理器。由于台积电目前在美国没有封装厂，因此这些晶圆还需要发送到中国台湾的台积电的先进封装厂利用CoWoS技术进行先进封装。虽然台积电也计划在美国建设两座先进封装厂，但是目
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台积电 4nm 晶圆 封装
日本的研究人员开发了一种聚合物波导，其性能与现有复杂芯片封装中的共封装光学（CPO）方法相似。这可以降低将光学连接添加到芯片封装中的成本，以减少功耗并提高数据速率。CPO 系统需要激光源才能运行，该激光源可以是直接集成到硅光子芯片（PIC）中，也可以是外部提供。虽然集成激光源允许更多连接，但确保一致性可靠性可能具有挑战性，这可能影响整体系统鲁棒性。另一方面，在 CPO 中使用外部激光源（ELS）可以提高系统可靠性。由日本国立先进工业科学技术研究所的 Satoshi Suda 博士领导的研究团队测试了在玻璃
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工艺 封装
随着台积电准备在今年晚些时候开始采用其 N2（2nm 级）工艺技术制造芯片，关于 N2 晶圆定价以及后续节点定价的传言已经出现。我们已经知道，据报道，台积电计划对使用其 N30,000 技术加工的晶圆收取高达 2 美元的费用，但现在《中国时报》报道称，该公司将对“更先进的节点”收取每片晶圆高达 45,000 美元的费用，据称这指向该公司的 A16（1.6nm 级）节点。2nm 生产成本高“台积电的 2nm 芯片晶圆代工价格已飙升至每片晶圆 30,000 美元，据传 [更多] 先进节点将达到 45,000
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台积电在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了其对下一代高数值孔径 EUV 光刻工具的长期立场。该公司的下一代工艺技术不需要这些最高端的光刻系统，包括 A16（1.6 纳米级）和 A14（1.4 纳米级）工艺技术。为此，TSMC 不会为这些节点采用 High-NA EUV 工具。“当台积电使用 High-NA 时，人们似乎总是很感兴趣，我认为我们的答案非常简单，”副联席首席运营官兼业务发展和全球销售高级副总裁 Kevin Zhang 在活动中说。“每当我们看到 High-NA 将提供有意义、可衡
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台积电 1.4nm 高数值孔径 EUV
电子集成技术分为三个层次，芯片上的集成，封装内的集成，PCB板级集成，其代表技术分别为SoC，SiP和PCB（也可以称为SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D为主，晶体管以平铺的形式集成于晶圆平面；同样，PCB上的集成也是以2D为主，电子元器件平铺安装在PCB表面，因此，二者都属于2D集成。而针对于封装内的集成，情况就要复杂得多。电子集成技术分类的两个重要依据：1.物理结构，2.电气连接(电气互连)。目前先进封装中按照主流可分为2D封装、2.5D封装、3D封装三种类型。2D封装012D封装是指在基板的表
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电子集成 工艺 制程
4 月 30 日消息，英特尔新任 CEO 陈立武今日在美国加州圣何塞举行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活动中亮相，概述了公司在晶圆厂代工项目上的进展。陈立武宣布，公司现在正在与即将推出的 14A 工艺节点（1.4nm 等效）的主要客户进行接触，这是 18A 工艺节点的后续一代。英特尔已有几个客户计划流片 14A 测试芯片，这些芯片现在配备了公司增强版的背面电源传输技术，称为PowerDirect。陈立武还透露，公司的关键 18A 节点现在处于风险生产阶段，预计今年晚
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4月29日消息，据MacRumors报道，苹果原计划为iPhone 17 Pro的屏幕配备抗刮抗反射涂层，目前已经取消。消息称，苹果在扩大显示屏涂层工艺方面遇到了问题。此前考虑到Apple生产的数百万台设备，为iPhone显示屏添加防反射涂层的过程太慢了，因此即使它只计划用于Pro机型，今年似乎仍然不可行。三星早在Galaxy S24 Ultra上就开始使用Gorilla Glass Armor面板，也是同类型技术，可以将反射减少75%，在强光、灯光下保持屏幕清晰可见。目前市面上流行的一种AR贴膜就使用了
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台积电公布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，它承诺将在其 N2 （2 纳米）工艺中提供显着的性能、功率和晶体管密度优势。在周三举行的 2025 年北美技术研讨会上，该公司透露，新节点将依赖其第二代全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管，并将通过 NanoFlex Pro 技术提供进一步的灵活性。台积电预计 A14 将于 2028 年进入量产，但没有背面供电。计划于 14 年推出具有背面供电功能的 A2029 版本。“A14 是我们的全节点下一代先进芯片技术，”台积电业务发展和全球销售高级副总
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财联社4月23日讯（编辑 马兰）据媒体报道，英特尔正委托台积电使用其2纳米制程生产Nova Lake CPU。考虑到英特尔自己拥有18A工艺，且一直宣传该工艺胜过台积电的2纳米技术，这份代工合同可能透露出一些引人深思的讯号。英特尔声称将为客户提供最好的产品，而这可能是其将Nova Lake生产外包给台积电的一个原因。但业内也怀疑，既然18A工艺已经投入了试生产，英特尔将生产外包可能是由于产能需求的驱动，而不是性能或回报等方面的问题。还有传言称，英特尔可能采取双源战略：既使用台积电的2纳米技术生产旗舰产品，
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随着半导体制造复杂性的不断增加，相关的排放量正在以惊人的速度增长。TechInsights Manufacturing Carbon Module 数据显示，位于俄勒冈州的下一代 2nm 晶圆厂将生产 ~30 万 MtCO2e 每年消耗超过 400 GWh 的电力。鉴于对电力和范围 2 排放的依赖，晶圆厂选址也起着重要作用，位于台湾的同等晶圆厂每年产生的排放量几乎是其三倍。有胜利。具有高晶体管密度的精细工艺可以大大减少每个晶体管的辐射。半导体制造的碳中和是可能的，但正如我们将要展示的那样，这需要
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移动处理器大厂高通（Qualcomm）计划推出一款新的4纳米高端芯片组，虽然定位低于旗舰级的Snapdragon 8 Elite，但性能依然备受市场关注。 最新消息指出，这款可能命名为Snapdragon 8s Gen 4的新芯片，高通似乎仍倾向于与老伙伴台积电合作，而非选择三星代工。追踪三星相关消息的南韩科技媒体SamMobile报导，尽管三星的4纳米制程已经通过测试，也经过市场验证，看似有抢单的机会，然而高通似乎仍对三星持保留态度，最终还是决定交由台积电独家代工这款新芯片。其实三星早在2021年就以第
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3 月 24 日消息，消息源 @Gadgetsdata 于 3 月 22 日在 X 平台发布推文，分享了高通骁龙 8s 至尊版芯片的更多细节，并透露该芯片的各项配置更接近于骁龙 8s Gen 3 芯片。援引博文介绍，高通骁龙 8s 至尊版采用 4nm 制程工艺，没有采用Oryon自研核心，其配置信息如下：骁龙8s Gen 38s Elite8 Elite节点4nm4nm3nmCPU,主核1x Cortex-X4 @ 3.0GHz1x Cortex-X4 @ 3.21GHz2x Oryon @ 4.32GH
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半导体芯片制程技术的创新突破，是包括英特尔在内的所有芯片制造商们在未来能否立足AI和高性能计算时代的根本。年内即将亮相的Intel 18A，不仅是为此而生的关键制程技术突破，同时还肩负着让英特尔重回技术创新最前沿的使命。那么Intel 18A为何如此重要？它能否成为助力英特尔重返全球半导体制程技术创新巅峰的“天命人”？RibbonFET全环绕栅极晶体管技术与PowerVia背面供电技术两大关键技术突破，会给出世界一个答案。攻克两大技术突破 实力出色RibbonFET全环绕栅极晶体管技术，是破除半
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据外媒报道，近日，英特尔投资者关系副总裁John Pitzer在公开澄清了关于基于Intel 18A制程的首款产品——Panther Lake推迟发布的传闻。他表示，Panther Lake仍按计划于今年下半年发布，发布时间并未改变，且英特尔对于目前的进展非常有信心。报道中称，John Pitzer表示当前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake开发阶段的表现还要略胜一筹。几周前有技术论文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表现已与台积电N2工艺相当。“虽然技术比较存在多
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