4 月 30 日消息，英特尔新任 CEO 陈立武今日在美国加州圣何塞举行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活动中亮相，概述了公司在晶圆厂代工项目上的进展。陈立武宣布，公司现在正在与即将推出的 14A 工艺节点（1.4nm 等效）的主要客户进行接触，这是 18A 工艺节点的后续一代。英特尔已有几个客户计划流片 14A 测试芯片，这些芯片现在配备了公司增强版的背面电源传输技术，称为PowerDirect。陈立武还透露，公司的关键 18A 节点现在处于风险生产阶段，预计今年晚
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4月29日消息，据MacRumors报道，苹果原计划为iPhone 17 Pro的屏幕配备抗刮抗反射涂层，目前已经取消。消息称，苹果在扩大显示屏涂层工艺方面遇到了问题。此前考虑到Apple生产的数百万台设备，为iPhone显示屏添加防反射涂层的过程太慢了，因此即使它只计划用于Pro机型，今年似乎仍然不可行。三星早在Galaxy S24 Ultra上就开始使用Gorilla Glass Armor面板，也是同类型技术，可以将反射减少75%，在强光、灯光下保持屏幕清晰可见。目前市面上流行的一种AR贴膜就使用了
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台积电公布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，它承诺将在其 N2 （2 纳米）工艺中提供显着的性能、功率和晶体管密度优势。在周三举行的 2025 年北美技术研讨会上，该公司透露，新节点将依赖其第二代全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管，并将通过 NanoFlex Pro 技术提供进一步的灵活性。台积电预计 A14 将于 2028 年进入量产，但没有背面供电。计划于 14 年推出具有背面供电功能的 A2029 版本。“A14 是我们的全节点下一代先进芯片技术，”台积电业务发展和全球销售高级副总
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财联社4月23日讯（编辑 马兰）据媒体报道，英特尔正委托台积电使用其2纳米制程生产Nova Lake CPU。考虑到英特尔自己拥有18A工艺，且一直宣传该工艺胜过台积电的2纳米技术，这份代工合同可能透露出一些引人深思的讯号。英特尔声称将为客户提供最好的产品，而这可能是其将Nova Lake生产外包给台积电的一个原因。但业内也怀疑，既然18A工艺已经投入了试生产，英特尔将生产外包可能是由于产能需求的驱动，而不是性能或回报等方面的问题。还有传言称，英特尔可能采取双源战略：既使用台积电的2纳米技术生产旗舰产品，
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随着半导体制造复杂性的不断增加，相关的排放量正在以惊人的速度增长。TechInsights Manufacturing Carbon Module 数据显示，位于俄勒冈州的下一代 2nm 晶圆厂将生产 ~30 万 MtCO2e 每年消耗超过 400 GWh 的电力。鉴于对电力和范围 2 排放的依赖，晶圆厂选址也起着重要作用，位于台湾的同等晶圆厂每年产生的排放量几乎是其三倍。有胜利。具有高晶体管密度的精细工艺可以大大减少每个晶体管的辐射。半导体制造的碳中和是可能的，但正如我们将要展示的那样，这需要
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移动处理器大厂高通（Qualcomm）计划推出一款新的4纳米高端芯片组，虽然定位低于旗舰级的Snapdragon 8 Elite，但性能依然备受市场关注。 最新消息指出，这款可能命名为Snapdragon 8s Gen 4的新芯片，高通似乎仍倾向于与老伙伴台积电合作，而非选择三星代工。追踪三星相关消息的南韩科技媒体SamMobile报导，尽管三星的4纳米制程已经通过测试，也经过市场验证，看似有抢单的机会，然而高通似乎仍对三星持保留态度，最终还是决定交由台积电独家代工这款新芯片。其实三星早在2021年就以第
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3 月 24 日消息，消息源 @Gadgetsdata 于 3 月 22 日在 X 平台发布推文，分享了高通骁龙 8s 至尊版芯片的更多细节，并透露该芯片的各项配置更接近于骁龙 8s Gen 3 芯片。援引博文介绍，高通骁龙 8s 至尊版采用 4nm 制程工艺，没有采用Oryon自研核心，其配置信息如下：骁龙8s Gen 38s Elite8 Elite节点4nm4nm3nmCPU,主核1x Cortex-X4 @ 3.0GHz1x Cortex-X4 @ 3.21GHz2x Oryon @ 4.32GH
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半导体芯片制程技术的创新突破，是包括英特尔在内的所有芯片制造商们在未来能否立足AI和高性能计算时代的根本。年内即将亮相的Intel 18A，不仅是为此而生的关键制程技术突破，同时还肩负着让英特尔重回技术创新最前沿的使命。那么Intel 18A为何如此重要？它能否成为助力英特尔重返全球半导体制程技术创新巅峰的“天命人”？RibbonFET全环绕栅极晶体管技术与PowerVia背面供电技术两大关键技术突破，会给出世界一个答案。攻克两大技术突破 实力出色RibbonFET全环绕栅极晶体管技术，是破除半
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据外媒报道，近日，英特尔投资者关系副总裁John Pitzer在公开澄清了关于基于Intel 18A制程的首款产品——Panther Lake推迟发布的传闻。他表示，Panther Lake仍按计划于今年下半年发布，发布时间并未改变，且英特尔对于目前的进展非常有信心。报道中称，John Pitzer表示当前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake开发阶段的表现还要略胜一筹。几周前有技术论文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表现已与台积电N2工艺相当。“虽然技术比较存在多
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1 月 22 日消息，半导体互联 IP 企业 Blue Cheetah 美国加州当地时间昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶对裸晶互联 PHY 物理层芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先进制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高级 2.5D 和标准 2D 芯粒封装，总吞吐量突破 100 Tbps 大关，同时在面积和功耗表现上处于业界领先水平，将于 2025 年第二季度初在封装应用中接受硅特性分析。Blue Che
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知情人士称，苹果在台积电美国亚利桑那州工厂（Fab 21）生产的4nm芯片已进入最后的质量验证阶段，英伟达和AMD也在该厂进行芯片试产。不过，台积电美国厂尚不具备先进封装能力，因此芯片仍需运回台湾封装。有外媒在最新的报道中提到，去年9月份就已开始为苹果小批量代工A16仿生芯片的台积电亚利桑那州工厂，目前正在对芯片进行认证和验证。一旦达到质量保证阶段，预计很快就能交付大批量代工的芯片，甚至有可能在本季度开始向苹果设备供货。▲ 台积电亚利桑那州晶圆厂项目工地，图源台积电官方台积电位于亚利桑那州的在美晶圆厂项目
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据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。此前消息称，除采用自家4nm工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在HBM4上导入1c nm制程DRAM Die，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。
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12月30日消息，据国外媒体报道称，台积电亚利桑那工厂将于2025年下半年开始量产4nm工艺，苹果、英伟达、AMD 和高通等客户将成为主要受益者。不过，对于消费者来说就不那么友好了，因为如果真是这样的话，那么大家要承担30%涨价。为什么这么说？报道中提到，台积电的4nm工艺将在亚利桑那州工厂的一期（1A）厂区投产，但生产成本预计将比现有的高出30%，这是美国客户需要考虑的问题。据悉，该工厂将负责4nm生产，但这是第一阶段的计划，因为在第二阶段，台积电计划在2028年量产2nm，尽管目前这还有点不确定。按照
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11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平台发布推文，曝料称高通第二代骁龙 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 单核成绩突破 4000 分，多核性能比初代骁龙 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代骁龙 8 至尊版芯片（高通骁龙 8Gen 5）将混合使用三星的 SF2 代工和台积电的 N3P 工艺。消息源还透露高通第二代骁龙 8 至尊版芯片和联发科天玑 9500 芯片均支持可扩展矩阵扩展（Scalable Matrix Extensio
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IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日发布博文，宣布在美国加州成功交付首批 NuLink™-2.0 芯粒互连 PHY，该芯片采用 3nm 工艺制造。这项技术不仅实现了 64Gbps / bump 的行业最高性能，还在多芯粒架构中提供了卓越的带宽和低功耗解决方案，标志着半导体互连领域的一次重大突破。IT之家注：芯粒互连 PHY 是一种用于连接多个芯片小块（chiplet）的物理层接口，旨在实现高带宽、低延迟和低功耗的数据传输。Eliyan 的芯片互连 P
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